日本大学生産工学部 清水研究室

研究活動

2020年

3月12-15日　第67回　応用物理学会春季学術講演会 @ 上智大学（中止）

  1. 12a-D419-3
    清水 耕作
    In-Sn-Zn-O TFTの水素化・酸素化とアニールによる信頼性の変化

2019年

12月1日　第52回（令和元年度)日本大学生産工学部学術講演会

  1. 14-4
    鈴木貴祐
    「酸素プラズマ処理による酸化物半導体のギャップ内準位の変化」
  2. 4-3
    遠藤汰紀、清水耕作
    「IPES/PYS及びKP法を用いたヘテロジャンクション特性の評価」

11月9-10日　第16回　薄膜材料デバイス研究会＠響都ホール

  1. 09p-P10
    遠藤汰紀、清水耕作 　
    IPES/PYS及びKP法を用いたヘテロジャンクション特性の評価
  2. 08p-P09
    鈴木貴祐、清水耕作 　
    原子状水素化処理、酸素プラズマ処理による酸化物半導体のギャップ内準位の変化

9月18-21日　第80回　応用物理学会秋季学術講演会 @ 北海道大学

  1. 12a-D419-3
    清水 耕作
    In-Sn-Zn-Oのホットワイヤ水素化とアニールによるTFT信頼性評価

7月21-26日　30th International Conference on Defects in Semiconductors

  1. PⅡ-24
    Kousaku Shimizu
    Hot-wire hydrogenation for improvement of NBIS reliability of In-Sn-Zn-O thin film transistors

7月19-20日　第16回　Cat-CVD研究会＠姫路

  1. P-13
    鈴木貴祐、清水 耕作
    原子状水素、酸素プラズマ処理による酸化物半導体のギャップ内準位の変化
  2. O-13
    清水 耕作
    In-Sn-Zn-O薄膜のHW水素化とポストアニールによるTFT信頼性の向上評価

3月9-12日　第66回　応用物理学会春季学術講演会 @ 東京工業大学

  1. 9p-S011-4
    柳澤 利樹、染谷 優太、清水 耕作
    In-Sn-Zn-Oの水素化とポストアニールによるTFT信頼性の向上

2018年

12月1日　第51回(平成30年度)日本大学生産工学部学術講演会

  1. 柳澤利樹
    「In-Sn-Zn-Oの水素化とポストアニールによるTFT信頼性の向上」
  2. 染谷優太
    「シリコンヘテロジャンクション太陽電池の高性能化」
  3. 鈴木貴祐
    「HfO2を用いた非晶質酸化物半導体の高性能化の研究」
  4. 遠藤汰紀
    「デバイスシミュレーションによる物性評価」

11月9-10日　第15回　薄膜材料デバイス研究会＠響都ホール

  1. 10p-P04
    染谷優太、清水耕作 　
    原子状水素とアルゴン雰囲気中によるシリコン基板のその場洗 浄太陽電池への応用
  2. 10p-P06
    柳澤利樹、染谷優太、清水耕作 　
    In-Sn-Zn-Oの水素化とポストアニールによる TFT信頼性の向上

9月18-21時日　第79回　応用物理学会秋季学術講演会 @名古屋国際会議場

  1. 19p-224A-3
    柳澤 利樹、染谷 優太、清水 耕作
    In-Sn-Zn-Oの水素化とポストアニールによるTFT信頼性の向上

9月3-6日　10th International Conference on Hot Wire (Cat) and Initiated Chemical Vapor Deposition　@ Kitakyushu International Conference Center

  1. Tu-P-04
    Yuuta Someya, and Kousaku Shimizu 　
    In situ cleaning of silicon substrate by atomic hydrogen and argon and its application for solar cells
  2. Tu-P-15
    Toshiki Yanagisawa, Yuuta Someya, and Kousaku Shimizu 　
    Hot-wire hydrogenation for In-Sn-Zn-O and improvement of the TFT reliability

6月18-22日　2018 European MRS Spring Meeting @Strasbourg, France

  1. V 21
    Takuya Odakura1, Kousaku Shimizu1, Toshio Morimoto 2, Tokuyuki Nakayama2, Mana Shiraki 2 　
    Nihon Univ. 1, SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. 2
    Influence of annealing conditions on the electrical performance and reliability of amorphous oxide TFTs

3月17-20日　第64回　応用物理学会春季学術講演会 @ 早稲田大學西早稲田キャンパス

  1. 18a-E201-8
    小田倉卓也1、清水 耕作1、森本 敏夫2、中山 徳行2、白木 真菜2
    1 日本大学, 2 住友金属鉱山株式会社、
    非晶質In-Ga-Zn-O TFTのアニール条件が及ぼすTFT特性、信頼性への影響

2017年

12月2日　第50回(平成29年度)日本大学生産工学部学術講演会

  1. 菅田知宏
    「IPES/PYSを用いた非晶質半導体の基礎吸収端特性の評価とその応用」
  2. 染谷優太
    「c-Si界面の水素クリーニングにおけるホットワイヤー温度依存性」
  3. 柳澤利樹
    「酸化物半導体の原子状水素供給および酸素プラズマ処理を用いたギャップ内準位の評価」
  4. 小田倉卓也
    「酸化物半導体を用いたTFTのバックチャネルが及ぼす影響」
  5. 酒井作周
    「p型、n型酸化物半導体の作製と太陽電池への応用」

10月20-21日　第14回　薄膜材料デバイス研究会@響都ホール

  1. 20ｐ-O 05
    柳澤 利樹、清水 耕作
    酸化物半導体の原子状水素処理、酸素プラズマ処理を用いたギャップ内準位の評価

9月5-8日　第78回　応用物理学会秋季学術講演会＠福岡国際センター

  1. 8a-C24-9
    酒井作周、清水 耕作
    p型、n型酸化物半導体の作製と太陽電池への応用

7月14-15日　第14回　Cat-CVD研究会＠リーガホテル ゼスト高松　

  1. P-01
    柳澤 利樹、清水 耕作
    酸化物半導体の原子状水素および酸素プラズマ処理を用いたギャップ内準位の評価
  2. P-02
    染谷 優太、　清水 耕作
    ｃ－Si界面の水素クリーニングにおけるホットワイヤ処理温度依存性

5月22-26日　2017 European MRS Spring Meeting @Strasbourg, France

  1. O 9.4
    Sakuchika Sakai, and Kousaku Shimizu 　
    Fabrication and characterization of amorphous CuAlO2/InGaZnO4 heterojunction solar cells by pulse DC sputtering method

3月14-17日　第64回　応用物理学会春季学術講演会＠パシフィコ横浜

  1. 14a-213-12
    中山 徳行1、森本 敏夫1、白木 真菜1、、松村 文彦1、小田倉卓也2、清水 耕作2
    1.住友金属鉱山株式会社、2.日本大学
    H2O添加成膜したIn-Ga-O半導体薄膜に及ぼすアニール処理条件の影響
  2. 16a-213-2
    菅田 知宏、清水 耕作
    IPES/PYSを用いた非晶質半導体の基礎吸収端特性の評価
  3. 16a-213-3
    岩崎 真宝、酒井 作周、清水 耕作
    変調アドミタンス法を用いた結晶/非結晶シリコンヘテロ接合の特性評価
  4. 17a-502-3
    大野 祐樹、清水 耕作　
    非晶質InGaZnO4およびInSnZnO4薄膜トランジスタのNBITS特性評価

2016年

12月19-22日　26th Annual Meeting of MRS-J@Yokohama Kaikou Memorial Museum

  1. A3-O20-004（20. Dezember 2016）
    Satoru Tanaka, Yuuki Ohno, Kousaku Shimizu
    Analysis of NBITS Instability for InGaZnO4 and InSnZnO4 TFTs using Reflection Constant Photocurrent Method

10月21-22日　第13回　薄膜材料デバイス研究会＠響都ホール

  1. 21ｐ-P27（10月21日(金)16：30-18：10）
    大野 祐樹、田中 聡、小田倉 拓也、清水 耕作 　
    非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタのNBITS信頼性評価
  2. 22p-04（10月22日(木)13：10-14：50）
    岩崎 真宝、清水 耕作 　
    変調アドミタンス法を用いた結晶/非結晶シリコンヘテロ接合の特性評価

9月13-16日　第77回　応用物理学会秋季学術講演会＠朱鷺メッセ、新潟

  1. 16a-A25-16（9月16日(金)13:00-13:15）
    岩崎 真宝、清水 耕作 　
    変調アドミタンス法を用いた結晶/非結晶シリコンヘテロ接合の特性評価
  2. 15p-A22-9（9月15日(木)15:45-16:00）
    大野 祐樹、田中 聡、清水 耕作 　
    非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタのNBITS信頼性評価
  3. 15p-A22-10（9月15日(木)16:00-16:15）
    田中 聡、清水 耕作 　
    非晶質ITZOとIGZO薄膜トランジスタの信頼性評価

9月6-9日　9th International Conference on HWCVD @ Philadelphia, USA

  1. P16
    Masataka Iwasaki and Kousaku Shimizu 　
    Fabrication of excellent p-i/i-n interfaces by Sputtering with Supplying Atomic Hydrogen

7月8-9日　第13回　Cat-CVD研究会@北見工業大学

  1. 22a-W331-11
    岩崎 真宝、、清水 耕作
    変調アドミタンス法による結晶/非結晶シリコンヘテロ接合の評価

5月1-6日　2016 European MRS Spring Meeting @Lille, France

  1. N1.2
    Satoru Tanaka,Yuuki Ohno, Kousaku Shimizu 　
    Analysis of NBITS Instability for Amorphous Oxide Semiconductor TFTs using Reflection Constant Photocurrent and Modulated Admitt amce Method

3月28日-4月1日　2016 MRS Spring Meeting & Exhibit@Phoenix AZ

  1. # NT8.6.07
    Kousaku Shimizu, Kazutaka Oh-e, Masataka Iwasaki 　
    Fabrication of excellent p-i/i-n interfaces made by Sputtering with Supplying Atomic Hydrogen

3月19-22日　第63回　応用物理学会春季学術講演会＠東京工業大学

  1. 21p-H103-9
    西村 英一郎1、森本 敏夫1、中山 徳行1、松村 文彦1、白木 真菜1、清水 耕作2、大野 祐樹2、田中 聡2　 1.住友金属鉱山株式会社、2.日本大学
    H2O添加成膜したIn-Ga-O半導体薄膜の特性
  2. 22a-W331-11
    岩崎 真宝、大江 和顕、酒井 作周、清水 耕作
    変調アドミタンス法によるヘテロ接合の評価
  3. 22a-S222-1
    田中 聡、清水 耕作　
    非晶質酸化物半導体ITZO薄膜のNBITS不安定性評価

2015年

10月30-31日　第12回　薄膜材料デバイス研究会＠響都ホール

  1. 30p-P01
    岩崎真宝, 大江和顕, 清水 耕作　
    変調アドミタンス法による原子状水素供給スパッタ法により成膜されたp-i/i-n界面の評価
  2. 30p-P13
    張帥澤, 小松大介, 清水耕作　
    非晶質InGaZnO4の酸素化及び水素化によるバンド吸収端の特性評価
  3. 31a-O06
    大野祐樹, 竹山裕貴, 田中聡, 清水耕作　
    非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの特性不安定性解析

9月13-18日　26th international Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors @ Aachen,Deutsch

  1. ID-159
    Kousaku Shimizu, Hiroki Takeyama, and Yuuki Ohno 　
    Evaluations of Stress Induced Instabilities of Amorphous Oxide Semiconductors using reflection CPM and ther relations with TFT instabilities
  2. ID-165
    Kousaku Shimizu, Shuaize Zhang, Daisuke Komatsu 　
    Evaluation of Absorption-edge Properties of a- InGaZnO4 by Oxygenation or Hydrogenation using PYS/IPES

7月3-4日　第12回　Cat-CVD研究会＠名古屋大学

  1. PP-02
    張 帥澤、小松大介、清水 耕作　
    非晶質InGaZnO4の酸素化および水素化によるバンド吸収端の特性評価
  2. PP-03
    竹山 裕貴、田中聡、大野 祐樹、清水 耕作　
    非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの特性不安定性解析
  3. OP-06
    大江 和顕、岩崎 真宝、清水 耕作　
    変調アドミタンス法による原子状水素供給スパッタ法により製膜されたp-i/i-n界面の評価

3月11-14日　第61回　応用物理学会春季学術講演会＠東海大学

  1. 12a-A28-5
    張 帥澤、大野 祐樹、清水 耕作　
    非晶質InGaZnO4とInSnZnO4のバンド吸収端酸素化及び水素化特性評価
  2. 12a-A28-6
    竹山 裕貴、大野 祐樹、清水 耕作　
    反射CPM法を用いた非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの特性不安定性解析
  3. 12a-A28-7
    大江 和顕、岩崎 真宝、清水 耕作　
    原子状水素供給スパッタ法による非晶質シリコン膜の作製と 変調アドミタンス法によるp-i/i-n界面の評価

2014年

7月11-12日　第111回　CAT-CVD研究会＠東北大学

  1. ＃P09
    大江和顕、清水耕作　
    原子状水素供給スパッタ法による高品質非結晶シリコン薄膜の作製

3月17-20日　第61回　応用物理学会春季学術講演会

  1. 19p-D2-51
    永井将司、清水耕作　
    非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの特性不安定性解析

2013年

10月31-11月2日　第10回　薄膜材料デバイス研究会

  1. 01I09
    永井将司、清水耕作　
    非晶質-InGaZnO4薄膜のギャップ内準位評価

9月16-20日　第74回　応用物理学会秋季学術講演会

  1. 19p-A2-11
    永井将司、清水耕作　
    CPM 法によるa-InGaZnO4薄膜のギャップ内準位評価

8月18-23日　ICANS25

  1. Kousaku Shimizu and Masashi Nagai　
    Electronic Structure within The Mobility Gap and Photoinduced Instability of amorphous IGZO

7月5-6日　第10回　Cat-CVD研究会

  1. 永井将司、清水耕作　
    原子状水素供給スパッタ法を用いたpin接合太陽電池の作製

2012年

11月2-3日　第9回　薄膜材料デバイス研究会

  1. 駒崎洋文、清水耕作　
    原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜作製条件の検討

10月8-12日　HWCVD-7

  1. Hirofumi Komazaki, and Kousaku Shimizu　
    Fabrication of nano-crystalline Si films by sputtering method with atomic hydrogen
  2. Kousaku Shimizu,
    Analysis of hydrogen flow in the HW-CVD chamber by computational fluid dynamics solar cell

6月22-23日　第9回　CAT-CVD研究会

  1. 駒崎洋文、清水耕作　
    原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜作製条件の検討
  2. 北村啓、清水耕作 　
    低電力消費太陽追尾装置の作製と評価
  3. 中村侑太、清水耕作　
    ナノシリコン粒子の太陽電池への応用
  4. 永井将司、清水耕作
    酸化物半導体によるpn接合と太陽電池への応用

6月3-7日　ICOOPMA2012

  1. Kousaku Shimizu　
    Fabrication of SrTiO3: Pr, Al and CaTiO3: Pr fluorescent thin films using rf sputtering for Si solar cells
  2. Kousaku Shimizu, Toshiyuki Sato, Koki Kitano, Kiyozumi Niizuma and Toshihiko Hiaki 　
    Fabrication and characterization of InGaZnO4/CuAlO2 heterojunction solar cell

3月　第59回　応用物理学関係連合講演会(早稲田大学）

  1. 駒﨑 洋文、浅野 英輝　
    「原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化(IV)」
  2. 小野瀬匡彦，佐藤敏幸,北野幸樹,新妻清純,日秋俊彦,清水耕作 　
    「酸化物半導体InGaZnO4/CuAlO2接合の作製と評価(Ⅲ)」

1月　第341回　蛍光体同学会　(キャンパスイノベーションセンター東京)

  1. 清水耕作　
    「螢光体を用いた波長変換膜の作製と太陽電池への応用」

2011年

12月　グリーンデバイステクノロジー　■エレクトロニクスは新たなステージへ■
(奈良先端科学技術大学院大学）

  1. 清水耕作　
    「シリコン微粒子を用いた低環境負荷デバイスの作製と高性能化検討」

11月　第8回薄膜材料デバイス研究会in京都「新しいデバイス材料」(龍谷大学Avanti響都ホール）

  1. 駒﨑 洋文、浅野 英輝　
    「原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化(II)」
  2. 清水 耕作 　
    「Rfスパッタリング法を用いたSrTiO3:Pr,AlおよびCaTiO3:Pr蛍光薄膜の作製と評価」
  3. 小野瀬匡彦　
    「a-CuAlO2/a-InGaZnO4接合の作製と評価」
  4. 北村 啓、小林 浩二、刀根 仁　
    「酸化物半導体薄膜を用いた界面特性評価(II)」

10月　第3回薄膜太陽電池セミナー（ラフレ埼玉）

  1. 小野瀬匡彦
    「酸化物半導体InGaZnO4CuAlO2接合の作製と評価」
  2. 浅野 英輝、駒﨑 洋文
    「スパッタリング法を用いたシリコン薄膜太陽電池への応用」

9月　千葉県オープンフォーラム（千葉工業大学）

  1. 小野瀬匡彦、永井将司
    「高効率太陽電池の作製　～自給自足型給配電をめざして～」

8月　第72回応用物理学会関連講演会（山形大学　小白川キャンパス）

  1. 小林浩二
    「変調アドミッタンス法を用いた MIS界面の欠陥準位の評価」
  2. 刀根　仁
    「酸化物半導体 InGaZnO4薄膜の欠陥評価（Ⅲ）」
  3. 浅野英輝
    「原子状水素供給スパッタリング法を用いたシリコン薄膜の高性能化(Ⅲ)」
  4. 小野瀬匡彦
    「酸化物半導体を用いたpn接合の 作製と評価 (Ⅱ)」

6月　第8回　CAT-CVD研究会

  1. 浅野英輝　「原子状水素供給スパッタリング法を用いたシリコン薄膜の高性能化」

3月　第58回応用物理学会関連講演会（神奈川工科大学）中止

  1. 小林浩二
    「MIS界面の欠陥準位評価」
  2. 浅野英輝
    「原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化(II)」
  3. 小野瀬匡彦
    「酸化物半導体InGaZnO4-CuAlO2接合の作製と評価」
  4. 刀根仁
    「変調アドミタンス法を用いた酸化物半導体InGaZnO4の欠陥評価(II)」

2010年

11月　第7回薄膜材料デバイス研究会in奈良「薄膜デバイスの理解と解析」

  1. 大橋拓也　
    「スパッタリング法を用いたSrTiO3:Pr,Al薄膜の作製」
  2. 浅野英輝　
    「原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化」
  3. 小野瀬匡彦　
    「a-CuAlO2/a-InGaZnO4の接合特性」
  4. 刀根仁　小林浩二　
    「酸化物半導体薄膜を用いた界面特性評価」

9月16日　第71回応用物理学会学術講演会（長崎大）

  1. 大橋拓也　
    「スパッタリング法を用いたSrTiO3:Pr,Al薄膜の作製」
  2. 前田督快　
    「変調アドミタンス法を用いたアモルファス酸化物半導体InGaZnO4の欠陥評価」
  3. 増田洋平、浅野英輝　
    「原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化」
  4. 石橋大典　
    「CFD法によるホットワイヤ水素化条件の検討(Ⅲ)」

3月18日　第57回応用物理学会関係連合講演会（東海大）

  1. 大橋拓也　
    「スパッタリング法を用いたSrTiO3:Pr,Al薄膜の作製」　　大橋拓也

2009年

12月　第42回(平成21年度)日本大学生産工学部学術講演会

  1. 前田督快
    「アモルファスInGaZnO薄膜のギャップ内準位の評価」
  2. 石橋大典
    「CFD法によるホットワイヤ水素化処理シミュレーション」

9月　秋季　第70回応用物理学会学術講演会(富山大)

  1. 前田督快　
    「CPM法によるアモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O薄膜の裾状態評価(Ⅳ)」
  2. 石橋大典
    　「CFD法によるホットワイヤ水素化条件の検討(2)」

8月　ICANS23　Utrecht, The Netherlands

  1. K. Shimizu
    “Characterization of subgap states in amorphous In-Ga-Zn-O by Constant Photocurrent Method”